Fabrication, caractérisation et modélisation de transistors FET III-V à base de nanotubes de carbone.

L’objectif de ce projet de thèse est de développer et caractériser des transistors TEC III-V à nanotubes de carbone en configuration planaire ou verticale. Des mesures HF d’un FET à nanotube unique seront réalisées en particulier. L’étudiant sera également impliqué dans les différentes étapes de fabrication (layout, lithographie par faisceau d’électrons, etc.) et pourra acquérir de l’expérience sur la caractérisation électrique des dispositifs à nanotube unique. Il / elle pourra apprendre l’aspect physique fondamentale derrière les FET à NTC. La modélisation électrique des propriétés de transport sera également à réaliser. Ce projet sera une excellente occasion pour le candidat très motivé d’effectuer un travail stimulant dans un environnement de recherche universitaire privilégié et de profiter des installations à l’état de l’art au sein de NTU (Nanyang Technological University of Singapour).

Contact:Audrey Martin

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